適用於高產能晶圓和面板級封裝的先進等離子處理工藝 StratoSPHERE™ 是一種高產能等離子處理系統，可處理最大300毫 米（12 英寸）的半導體晶圓。獲得專利的等離子腔體設計能實現 卓越的蝕刻均勻性、工藝可重複性、循環時間性能和最低的擁有成 本。其三軸對稱腔體能確保所有晶圓區域被均勻處理，並且對工藝 參數的嚴格控制確保了高可重複性的結果。

清洗晶圓

●在晶圓凸點之前去除汙染物

●去除有機汙染物

●去除氟和其他鹵素汙染物

●去除金屬和金屬氧化物

●提高旋塗薄膜的附著力

●清潔金屬焊盤

晶圓蝕刻

●殘留光刻膠/BCB 的除渣晶圓

●對介電層進行圖案化以進行重新分布

●剝離/蝕刻光刻膠

●增強晶圓應用材料的附著力

●去除多餘的晶圓模具/環氧樹脂

●增強金焊料凸塊的附著力

●消除晶圓應力以減少破損

●提高旋塗薄膜的附著力

●清潔鋁焊盤

主要應用及優勢

●軟件控制的轉換最大限度地減少了從 200 mm晶圓到300 mm 晶圓的轉換

●生產就緒的晶圓處理支持晶圓的背面

●模塊化設計允許單腔體或雙腔體系統 配置

●裝載端口支持200 mm 開放式料盒或 300 mm FOUP

●獨特的末端執行器設計可以傳送各種 厚度和重量的晶圓

●腔室套件將等離子分布直接隔離在晶 圓上方，從而最大限度地提高均勻性 和產量